Número de Producto del Fabricante:
IRF7701
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7701-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 10A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
12803522
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ENVIAR
IRF7701 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5050 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-TSSOP
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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