Número de Producto del Fabricante:
IRF7526D1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7526D1PBF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventario:
12806334
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ENVIAR
IRF7526D1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
FETKY™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro8™
Paquete / Caja
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
80
Otros nombres
SP001551438
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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