Número de Producto del Fabricante:

IRF7493TR

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF7493TR-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO

Descripción Detallada:

N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12809344

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IRF7493TR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

80 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

9.3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

15mOhm @ 5.6A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

53 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1510 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SO

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

4,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE

FDS5670

FABRICANTE

onsemi

CANTIDAD DISPONIBLE

21413

NÚMERO DE PIEZA

FDS5670-DG

PRECIO UNITARIO

0.81

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

NÚMERO DE PARTE

IRF7493TRPBF

FABRICANTE

Infineon Technologies

CANTIDAD DISPONIBLE

4688

NÚMERO DE PIEZA

IRF7493TRPBF-DG

PRECIO UNITARIO

0.57

TIPO DE SUSTITUCIÓN

Parametric Equivalent

NÚMERO DE PARTE

RS6N120BHTB1

FABRICANTE

Rohm Semiconductor

CANTIDAD DISPONIBLE

1763

NÚMERO DE PIEZA

RS6N120BHTB1-DG

PRECIO UNITARIO

1.14

TIPO DE SUSTITUCIÓN

MFR Recommended

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

nxp-semiconductors

2N7000,126

MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

microchip-technology

VN2110K1-G

MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3

nxp-semiconductors

BUK951R9-40E,127

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

nxp-semiconductors

BUK951R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB