Número de Producto del Fabricante:

IRF7464

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF7464-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventario:

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IRF7464 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

730mOhm @ 720mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

280 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SO

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

95

Otros nombres

*IRF7464

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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