Número de Producto del Fabricante:
IRF7343TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7343TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
18654 Pcs Nuevos Originales En Stock
12823713
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ENVIAR
IRF7343TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
740pF @ 25V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF734
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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