Número de Producto del Fabricante:

IRF7202TR

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF7202TR-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO

Descripción Detallada:

P-Channel 20 V 2.5A (Tc) 1.6W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12804289

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IRF7202TR Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

20 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

2.5A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

250mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

270 pF @ 20 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.6W (Ta), 2.5W (Tc)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

8-SO

Paquete / Caja

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

2,500

Otros nombres

IRF7202

IRF7202CT

IRF7202DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

infineon-technologies

IRF60B217

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

infineon-technologies

IPI60R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3

infineon-technologies

IRF3707ZSPBF

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

infineon-technologies

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB