Número de Producto del Fabricante:
IRF6898MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6898MTR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 35A (Ta), 213A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
12803984
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6898MTR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 213A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
62 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5435 pF @ 13 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6898MTR1PBFTR
SP001523898
IRF6898MTR1PBFDKR
IRF6898MTR1PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPI100P03P3L-04
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
IRF7748L1TRPBF
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
IRFHM831TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
