Número de Producto del Fabricante:
IRF6710S2TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6710S2TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventario:
12804834
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6710S2TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1190 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DirectFET™ Isometric S1
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric S1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001524736
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC120N03LSGATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
33689
NÚMERO DE PIEZA
BSC120N03LSGATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR3303TRPBF
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
IRF7458TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IRFSL7437PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO262