Número de Producto del Fabricante:
IRF6662TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6662TR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
12804409
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ENVIAR
IRF6662TR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6662TR1PBFDKR
SP001559718
IRF6662TR1PBFCT
IRF6662TR1PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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