Número de Producto del Fabricante:
IRF6646TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6646TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventario:
6589 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806106
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ENVIAR
IRF6646TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2060 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MN
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MN
Número de producto base
IRF6646
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6646TRPBFCT
IRF6646TRPBFDKR
SP001564784
IRF6646TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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