IRF6644TRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRF6644TRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF6644TRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

Inventario:

18711 Pcs Nuevos Originales En Stock
12823344
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IRF6644TRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MN
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MN
Número de producto base
IRF6644

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6644TRPBFDKR
IRF6644TRPBFCT
SP001563476
IRF6644TRPBFTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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