Número de Producto del Fabricante:
IRF6641TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6641TR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
12823387
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6641TR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6641TR1PBFDKR
IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
IRF6641TR1PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF6641TRPBF
FABRICANTE
International Rectifier
CANTIDAD DISPONIBLE
720
NÚMERO DE PIEZA
IRF6641TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7241
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
IXFH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
IRF540ZS
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
