Número de Producto del Fabricante:
IRF6622TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6622TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 15A (Ta), 59A (Tc) 2.2W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventario:
12804902
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ENVIAR
IRF6622TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Ta), 59A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1450 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SQ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6622TRPBFDKR
IRF6622TRPBFCT
IRF6622TRPBF-DG
IRF6622TRPBFTR
SP001530296
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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