Número de Producto del Fabricante:
IRF6614
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6614-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventario:
12804070
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6614 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.25V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2560 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ ST
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric ST
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD20N03L
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPI80N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
IRFR5505
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
