Número de Producto del Fabricante:
IRF6609
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6609-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventario:
12804652
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ENVIAR
IRF6609 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.45V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MT
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MT
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6609DKR
*IRF6609
SP001523768
IRF6609TR
IRF6609CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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