Número de Producto del Fabricante:
IRF6100PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6100PBF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 5.1A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 4-FlipFet™
Inventario:
12804741
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ENVIAR
IRF6100PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1230 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-FlipFet™
Paquete / Caja
4-FlipFet™
Número de producto base
IRF6100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
6,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI8401DB-T1-E1
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SI8401DB-T1-E1-DG
PRECIO UNITARIO
0.40
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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