Número de Producto del Fabricante:
IRF5802
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF5802-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventario:
12804972
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF5802 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
88 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3442BDV-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
26929
NÚMERO DE PIEZA
SI3442BDV-T1-E3-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR3412PBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
IPW65R037C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
IRLR7821TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK