Número de Producto del Fabricante:
IRF1405ZPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF1405ZPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
2691 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803570
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF1405ZPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4780 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF1405
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF1405ZPBF
SP001563230
64-0097PBF-DG
64-0097PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPL60R299CPAUMA1
MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK