Número de Producto del Fabricante:
IRF1018ESTRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF1018ESTRLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12356 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803999
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF1018ESTRLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF1018
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRF1018ESTRLPBFCT
IRF1018ESTRLPBFDKR
SP001564496
IRF1018ESTRLPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFSL38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO262
IPI65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3
IRF9Z34NSTRR
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK