Número de Producto del Fabricante:
IRF1018EPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF1018EPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
2798 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801324
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ENVIAR
IRF1018EPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF1018
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
SP001574502
2156-IRF1018EPBF
ROCIRFIRF1018EPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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