Número de Producto del Fabricante:
IQD020N10NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQD020N10NM5CGATMA1-DG
Descripción:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12943335
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ENVIAR
IQD020N10NM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Ta), 273A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 159µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-U02
Paquete / Caja
9-PowerTDFN
Número de producto base
IQD020
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQD020N10NM5CGATMA1CT
448-IQD020N10NM5CGATMA1TR
448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
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