Número de Producto del Fabricante:
IQD016N08NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IQD016N08NM5CGATMA1-DG
Descripción:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventario:
12943345
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IQD016N08NM5CGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta), 323A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.57mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 159µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TTFN-9-U02
Paquete / Caja
9-PowerTDFN
Número de producto base
IQD016
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IQD016N08NM5CGATMA1CT
448-IQD016N08NM5CGATMA1DKR
448-IQD016N08NM5CGATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificación DIGI
Productos relacionados
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STO67N60DM6
MOSFET N-CH 600V 33A TOLL