Número de Producto del Fabricante:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventario:
12945086
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ENVIAR
IPW65R115CFD7AXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
*
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 490µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-41
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW65R115
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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