Número de Producto del Fabricante:
IPW65R048CFDAFKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 63.3A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
80 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807053
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPW65R048CFDAFKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
63.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
48mOhm @ 29.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 2.9mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW65R048
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP000895318
ROCINFIPW65R048CFDAFKSA1
2156-IPW65R048CFDAFKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFC3205ZEB
MOSFET N-CH WAFER
IRFR1205TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
IRL540NSTRR
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK