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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPU80R2K8CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU80R2K8CEAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12804206
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ENVIAR
IPU80R2K8CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 120µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU80R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPU80R2K8CEAKMA1
Hoja de datos HTML
IPU80R2K8CEAKMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
INFINFIPU80R2K8CEAKMA1
2156-IPU80R2K8CEAKMA1
SP001593932
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPU80R2K4P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1339
NÚMERO DE PIEZA
IPU80R2K4P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
TSM4NB65CH C5G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
10528
NÚMERO DE PIEZA
TSM4NB65CH C5G-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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