Número de Producto del Fabricante:
IPT010N08NM5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPT010N08NM5ATMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Inventario:
12958110
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPT010N08NM5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Ta), 425A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 280µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16000 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IPT010N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP005560711
448-IPT010N08NM5ATMA1DKR
448-IPT010N08NM5ATMA1TR
448-IPT010N08NM5ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR310TRRPBF
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IRFPF50
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO247-3
IRFP360
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
