Número de Producto del Fabricante:
IPSA70R2K0CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPSA70R2K0CEAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12806098
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ENVIAR
IPSA70R2K0CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 70µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
163 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPSA70
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-IPSA70R2K0CEAKMA1
ROCINFIPSA70R2K0CEAKMA1
SP001605400
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPSA70R900P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4
NÚMERO DE PIEZA
IPSA70R900P7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD4NK60Z-1
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
35
NÚMERO DE PIEZA
STD4NK60Z-1-DG
PRECIO UNITARIO
0.28
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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