Número de Producto del Fabricante:
IPS80R1K2P7AKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Inventario:
12805799
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPS80R1K2P7AKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-342
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
IPS80R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
2156-IPS80R1K2P7AKMA1
SP001644626
INFINFIPS80R1K2P7AKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STU6N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
4
NÚMERO DE PIEZA
STU6N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
IRL3715ZSPBF
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
