Número de Producto del Fabricante:
IPS60R650CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS60R650CEAKMA1-DG
Descripción:
CONSUMER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 9.9A (Tj) 82W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12808647
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ENVIAR
IPS60R650CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.9A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPS60R650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
SP001471280
2156-IPS60R650CEAKMA1
INFINFIPS60R650CEAKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPS60R600PFD7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
21
NÚMERO DE PIEZA
IPS60R600PFD7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.70
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK8Q65W,S1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5
NÚMERO DE PIEZA
TK8Q65W,S1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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