Número de Producto del Fabricante:
IPS60R360PFD7SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS60R360PFD7SAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
832 Pcs Nuevos Originales En Stock
12810871
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ENVIAR
IPS60R360PFD7SAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™PFD7
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 140µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
534 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPS60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
448-IPS60R360PFD7SAKMA1
SP003965460
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPU95R450P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPU95R450P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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