Número de Producto del Fabricante:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
866 Pcs Nuevos Originales En Stock
12810877
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ENVIAR
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™PFD7
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
230 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPS60R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
SP003493708
448-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPU80R900P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1500
NÚMERO DE PIEZA
IPU80R900P7AKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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