Número de Producto del Fabricante:
IPP80N06S2L05AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80N06S2L05AKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12805259
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ENVIAR
IPP80N06S2L05AKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPP80N06S2L-05
INFINFIPP80N06S2L05AKSA1
SP000219000
2156-IPP80N06S2L05AKSA1-IT
IPP80N06S2L-05-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDP047AN08A0
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1868
NÚMERO DE PIEZA
FDP047AN08A0-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPP100N06S2L05AKSA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
498
NÚMERO DE PIEZA
IPP100N06S2L05AKSA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.72
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
FDP050AN06A0
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
6627
NÚMERO DE PIEZA
FDP050AN06A0-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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