Número de Producto del Fabricante:
IPP17N25S3100AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP17N25S3100AKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 17A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12804433
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ENVIAR
IPP17N25S3100AKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 54µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP17N25
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPP17N25S3100AKSA1
IFEINFIPP17N25S3100AKSA1
SP001025116
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB17N25S3100ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1583
NÚMERO DE PIEZA
IPB17N25S3100ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFP36N30P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFP36N30P3-DG
PRECIO UNITARIO
3.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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