Número de Producto del Fabricante:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
531 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803696
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP041N04NGXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 45µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP041
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
