Número de Producto del Fabricante:
IPP019N08NF2SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP019N08NF2SAKMA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 32A (Ta), 191A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12951132
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP019N08NF2SAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
StrongIRFET™ 2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 191A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 194µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8700 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP019N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPP019N08NF2SAKMA1
448-IPP019N08NF2SAKMA1
SP005548842
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
ZXMN20B28KTC
MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
IRF710
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
DMN6013LFGQ-13
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
