Número de Producto del Fabricante:
IPP015N04NGXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP015N04NGXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
438 Pcs Nuevos Originales En Stock
12814859
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ENVIAR
IPP015N04NGXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
20000 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP015
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPP015N04N G-DG
SP000680760
448-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04NG
IPP015N04NGXKSA1-DG
2156-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04N G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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