Número de Producto del Fabricante:
IPL65R210CFDAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R210CFDAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 16.6A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
12801380
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ENVIAR
IPL65R210CFDAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
210mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL65R210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IFEINFIPL65R210CFDAUMA1
SP000949256
2156-IPL65R210CFDAUMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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TRENCH <= 40V
