Número de Producto del Fabricante:
IPL60R360P6SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL60R360P6SATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 11.3A (Tc) 89.3W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Inventario:
681 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800974
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL60R360P6SATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 370µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1010 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-ThinPak (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IPL60R360
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP001163030
INFINFIPL60R360P6SATMA1
IPL60R360P6SATMA1CT
IPL60R360P6SATMA1TR
IPL60R360P6SATMA1DKR
2156-IPL60R360P6SATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPP16CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
IPDH4N03LAG
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
IPB60R600P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK