IPL60R2K1C6SATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPL60R2K1C6SATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPL60R2K1C6SATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2

Inventario:

12800879
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPL60R2K1C6SATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
21.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TSON-8-2
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IPL60R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
INFINFIPL60R2K1C6SATMA1
2156-IPL60R2K1C6SATMA1
SP001163026

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

BSO200P03SNTMA1

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

infineon-technologies

IPB60R160C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK

infineon-technologies

IPB90N06S404ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK

infineon-technologies

IPD60R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CH 600V 5A TO252