Número de Producto del Fabricante:
IPI65R660CFDXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI65R660CFDXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12803660
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ENVIAR
IPI65R660CFDXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI65R660CFD
2156-IPI65R660CFDXKSA1-IT
SP000861696
IFEINFIPI65R660CFDXKSA1
IPI65R660CFD-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFSL9N60APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
900
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL9N60APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPI60R125CPXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
490
NÚMERO DE PIEZA
IPI60R125CPXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
3.00
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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