Número de Producto del Fabricante:
IPI50N10S3L16AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12805535
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Cantidad
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Mínimo 1
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ENVIAR
IPI50N10S3L16AKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI50N10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI50N10S3L-16-DG
SP000407120
INFINFIPI50N10S3L16AKSA1
2156-IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L-16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF540ZLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
862
NÚMERO DE PIEZA
IRF540ZLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPP70N10S3L12AKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
401
NÚMERO DE PIEZA
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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