Número de Producto del Fabricante:
IPI100N06S3L04XK
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI100N06S3L04XK-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
72 Pcs Nuevos Originales En Stock
13064055
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ENVIAR
IPI100N06S3L04XK Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
362 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17270 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI100N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPI100N06S3L-04-ND
IPI100N06S3L-04
IPI100N06S3L-04IN
IPI100N06S3L04X
SP000102211
IPI100N06S3L-04IN-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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