Número de Producto del Fabricante:
IPI037N06L3GHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI037N06L3GHKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12803125
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ENVIAR
IPI037N06L3GHKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 93µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI037N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI037N06L3 G
IPI037N06L3 G-DG
SP000397910
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN8R7-80PS,127
FABRICANTE
NXP Semiconductors
CANTIDAD DISPONIBLE
6806
NÚMERO DE PIEZA
PSMN8R7-80PS,127-DG
PRECIO UNITARIO
0.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDI030N06
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
FDI030N06-DG
PRECIO UNITARIO
2.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRFSL3306PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL3306PBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.04
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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