Número de Producto del Fabricante:
IPG20N06S2L35ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPG20N06S2L35ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventario:
15000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800443
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ENVIAR
IPG20N06S2L35ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 27µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790pF @ 25V
Potencia - Máx.
65W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-4
Número de producto base
IPG20N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
INFINFIPG20N06S2L35ATMA1
IPG20N06S2L35ATMA1TR
IPG20N06S2L-35-DG
IPG20N06S2L35ATMA1DKR
IPG20N06S2L-35
SP000613718
2156-IPG20N06S2L35ATMA1
IPG20N06S2L35ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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