Número de Producto del Fabricante:
IPG20N06S2L35AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPG20N06S2L35AATMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventario:
14710 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848130
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPG20N06S2L35AATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 27µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790pF @ 25V
Potencia - Máx.
65W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-10
Número de producto base
IPG20N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
2156-IPG20N06S2L35AATMA1
INFINFIPG20N06S2L35AATMA1
IPG20N06S2L35AATMA1DKR
SP001023838
IPG20N06S2L35AATMA1CT
IPG20N06S2L35AATMA1TR
IPG20N06S2L35AATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8SOIC
FDG6313N
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
FDS6911
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC