Número de Producto del Fabricante:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Descripción:
HIGH POWER_NEW
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventario:
13004367
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ENVIAR
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
136A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3.08mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-22-1
Paquete / Caja
22-PowerBSOP Module
Número de producto base
IPDQ65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
750
Otros nombres
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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