Número de Producto del Fabricante:
IPD90R1K2C3BTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD90R1K2C3BTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
13064065
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ENVIAR
IPD90R1K2C3BTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 310µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3DKR
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3BTMA1DKR
SP000413720
IPD90R1K2C3-ND
IPD90R1K2C3BTMA1TR
IPD90R1K2C3CT-ND
IPD90R1K2C3DKR-ND
IPD90R1K2C3TR-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD6N95K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
14140
NÚMERO DE PIEZA
STD6N95K5-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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