Número de Producto del Fabricante:
IPD85P04P4L06ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD85P04P4L06ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
12803207
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ENVIAR
IPD85P04P4L06ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
85A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.4mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6580 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD85P04
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
448-IPD85P04P4L06ATMA1TR
SP000842056
IPD85P04P4L06ATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD85P04P4L06ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4000
NÚMERO DE PIEZA
IPD85P04P4L06ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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