Número de Producto del Fabricante:
IPD650P06NMSAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD650P06NMSAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
12800453
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ENVIAR
IPD650P06NMSAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.04mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP004987224
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD650P06NMATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
13516
NÚMERO DE PIEZA
IPD650P06NMATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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