Número de Producto del Fabricante:
IPD60R180P7SE8228AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R180P7SE8228AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12799771
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ENVIAR
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 280µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD60R180P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R180P7SE8228AUMA1TR
SP002367798
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD60R180P7SAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
37401
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R180P7SAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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